IBM und SK Hynix kooperieren bei Entwicklung von Phase-Change-Memory
Neuartige nichtflüchtige Speichertechnologie: Phase-Change-Memory-Speicher. (Bild: IBM / Photo Michael Lowry)
Seoul – SK Hynix Inc. hat eine Entwicklungspartnerschaft sowie eine Lizenzvereinbarung mit IBM für die Entwicklung von Phase-Change-Random-Access-Memory (PCRAM) angekündigt. PCRAM oder auch Phase-Change-Memory (PCM, in Deutsch: Phasenwechsel- oder Phasenübergangs-Speicher) ist eine neuartige nichtflüchtige Speichertechnologie, die aufgrund der erzielbaren Schreib- und Lesegeschwindigkeit in Kombination mit sehr guter Langlebigkeit und hoher Speicherdichte das Potenzial aufweist, innerhalb der nächsten Jahre die Speicherlandschaft zu verändern.
IBM verfügt über eine jahrelang aufgebaute Expertise in der Erforschung und Entwicklung dieser zukunftsträchtigen Speichertechnologie, insbesondere auch im Bereich der Multi-Level-Cell-Technologie (MLC). So hat ein Team vom IBM Forschungszentrum in Rüschlikon im letzten Jahr erstmals gezeigt, dass Phase-Change-Memory nicht nur einzelne Bits, sondern gleich mehrere Bits pro Speicherzelle sehr zuverlässig über lange Zeiträume speichern kann. Der Forschungserfolg ist ein bedeutender Schritt hin zur Entwicklung von kosteneffizienten, schnellen und langlebigen Memory-Anwendungen für elektronische Geräte und Hochleistungs-IT-Systeme für Unternehmen sowie für Cloud-Speicherlösungen.
Seit den Anfängen von PCRAM in 2007 hat SK Hynix die Entwicklung stetig vorwärts getrieben und erfolgreich 1 Gigabit PCRAM in 40-nm-Technologie demonstriert. Mit der nun unterzeichneten Vereinbarung kooperieren SK Hynix und IBM künftig in der Entwicklung von PCRAM-Produkten, die von SK Hynix hergestellt werden. Sung Joo Hong, Leiter der Forschungs- und Entwicklungsabteilung bei SK Hynix, erklärt: «Mit vereinten Kräften, technologischen Know-How und Ressourcen, die beide Partner in Bereichen wie etwa der Materialwissenschaft und dem Design einbringen, können wir die Kommerzialisierung von PCRAM noch intensiver vorantreiben.»
Phase-Change-Memory: Speichertechnologie mit grossem Potenzial
Das rasante Wachstum der digitalen Daten, die steigende Vernetzung und Kommunikation zwischen Geräten und IT-Systemen, der Übergang zu Cloud-Computing-Modellen und die Zunahme von Hochleistungsanalytik im Rahmen des Informationsmanagements — alle diese Entwicklungen erfordern immer leistungsfähigere, effizientere und dennoch erschwingliche Speichertechnologien.
Phase-Change-Memory stellt eine der vielversprechendsten neuartigen Speichertechnologien dar, die einen weiteren Leistungssprung bei Speicher-und IT-Systemen eröffnen könnte. Die PCM-Technologie hat das Potenzial eine nichtflüchtige Datenspeicherung bei hohen Speicherdichten zu ermöglichen und gleichzeitig 100-fach schneller und 1000-mal haltbarer als die bekannte Flash-Speichertechnologie (NAND-Flash) zu sein, was selbst anspruchsvollen Unternehmensanwendungen genügen würde. Durch die Kombination dieser Eigenschaften wird PCM auch als Storage-Class-Memory (SCM) klassifiziert — ein nichtflüchtiger Speicher, der jedoch trotzdem sehr hohe Geschwindigkeit und Speicherkapazitäten aufweist. Mit PCM könnten Computer und Server in Sekundenschnelle hochfahren und deren Gesamtleistungsfähigkeit erheblich gesteigert werden. Aufgrund ihrer im Vergleich zu anderen Speicherprodukten einfacheren Struktur erwartet man auch eine Senkung der Produktionskosten.
Laut dem Branchenanalysten Gartner wird das Marktpotenzial für Server-Speichertechnologien, inklusive DRAM- und Solid State Disk-Technologien, von 8 Mrd. US Dollar im Jahr 2012 auf 16 Mrd. US Dollar im Jahr 2016 ansteigen. Das Marktpotenzial für SCM, das aufgrund der Nachfrage nach PCRAM durch führende Server-Hersteller bestimmt wird, schätzt Gartner auf 1,4 Mrd. US Dollar und geht von einem weiteren Wachstum aus. (IBM Research Zürich/mc/ps)
